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安森美半導體推出新的以太網供電方案

時間:2019-09-07 16:59      來源:未知   瀏覽量:

安森美半導體推出新的以太網供電方案

  2019年9月5日—推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),憑借不斷增長的符合IEEE802.3bt標準的產品和技術陣容引領行業。以太網供電(PoE)使用新的IEEE802.3bt標準,可用于通過局域網(LAN)聯接提供高達90 W的高速互聯。安森美半導體的方案不僅支持新標準的功率限制,還將功率擴展到100 W用于電信和數字標識等系統。
 
  新的IEEE802.3bt PoE標準有潛力變革物聯網(IoT)所涉及的每個垂直市場,使更精密的端點可在更大的網絡運行。IEEE802.3bt標準通過新的“Autoclass”特性優化能量管理,令受電設備(PD)將其特定的功率需求傳遞給供電設備(PSE)。這也令每個PSE僅向每個PD分配適當的功率量,從而最大化可用能量和帶寬。
 
  與IEEE 802.at標準(PoE+)提供的30 W相比,IEEE 802.3bt可提供高達90 W的功率和互聯到新的應用,無需專用且通常為離線的電源。PoE將簡化網絡拓撲,并提供更強固的“即插即用”用戶體驗。
 
  商業信息提供商IHS Markit電源半導體高級分析師Kevin Anderson說:“以太網供電是當今電源半導體發展最快的市場之一,預計2017年到2022年的復合平均單位增長率為14%。IEEE 802.3bt中定義的更高供電能力促成新的應用,如更高功率聯接的照明、聯網的高分辨率監控攝像機和高性能無線接入點。”
 
  NCP1095和NCP1096接口控制器構成安森美半導體PoE-PD方案的基礎,具有實施PoE接口所需的所有特性,包括檢測、自動分類和限流??刂破鞑捎靡粋€外部(NCP1095)或內部(NCP1096)熱插拔FET。NCP1096集成的熱插拔FET具有Type 3或Type 4 PoE控制器可提供的最低導通電阻??刂破髋湟訬CP1566 DC-DC控制器、FDMC8622單MOSFET、FDMQ8203和FDMQ8205A GreenBridge四通道MOSFET,為PoE應用中的二極管橋提供更有效的替代方案。這些器件賦能高效的PoE接口,最高可達標準的90 W功率限制,若需更高的功率,可用專用的100 W方案。
 
  安森美半導體工業和離線電源方案副總裁Ryan Cameron說:“作為一家講究高能效的公司,我們很高興能促進PoE充分發揮潛力。我司提供全系列符合IEEE 802.3bt的方案,使這技術更容易廣及所有開發工程師,有助于使更多聯接的設備具有保證的互操作性。”

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